[发明专利]具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法无效
| 申请号： | 01118682.8 | 申请日： | 2001-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1391277A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 钟振辉;林义雄;徐震球 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法，提供半导体基底的表面上设置有多数个内连导线，于内连导线及基底表面上形成第一介电层；进行回蚀刻制程，残留于内连导线侧壁的第一介电层成为第一介电质间隙壁；于内连导线、基底以及第一间隙壁的表面上形成第二介电层；进行回蚀刻制程，残留于第一介电质间隙壁的第二介电层成为第二介电质间隙壁；形成第三介电层；进行平坦化制程。切实地减少漏电流，提高产品的信赖性与优良率，并可进一步达成积体电路缩小化的目标。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 介电质 间隙 导线 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有双层介电质间隙壁的内连导线结构，包含内连导线形成于半导体基底表面上，其特征是：作为应力缓冲层的第一介电质间隙壁形成于该内连导线的例壁上，作为蚀刻阻挡层或内连导线的固定支撑层的第二介电质间隙壁形成于该第一介电质间隙壁的表面上；第三介电层覆盖该内连导线、基底以及第二间隙壁的曝露表面。
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