[发明专利]形成网状结构光阻层的方法有效
| 申请号： | 01118942.8 | 申请日： | 2001-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1153260C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张文彬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/312;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成网状结构光致抗蚀层的方法，包括：提供一光致抗蚀层；以一光源照射所述光致抗蚀层；以及将所述照射过的光致抗蚀层，置于一交联剂(crosslinking agent)的蒸汽中，使形成一网状结构的光致抗蚀层。它是一种形成网状结构的化学增强的光致抗蚀层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 网状结构 光阻层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成网状结构光致抗蚀层的方法，其特征在于，它包括：提供一光致抗蚀层； 以一紫外线光源照射所述光致抗蚀层；以及将所述照射过的光致抗蚀层置于一交联剂双环氧丁二烯的蒸汽中，使形成一网状结构的光致抗蚀层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
