[发明专利]电子装置有效
申请号: | 01119275.5 | 申请日: | 2001-02-28 |
公开(公告)号: | CN1341970A | 公开(公告)日: | 2002-03-27 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;小山润;犬饲和隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H05B33/00;H01L21/00;G09F9/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 罗朋,梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供一种电子装置,其中防止装置的退化和改善孔径比,而没有使用黑掩模和没有提高掩模数量。在该电子装置中,第一电极(113)形成在一个层上,该层与其上形成栅极配线作为栅电极(145)的层不同,和具有像素开关TFT的半导体层重叠在栅极配线(145)上,从而不受光的照射。因此,抑制TFT的退化,并实现高孔径比。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子装置,包括多个源极配线,多个栅极配线,多个电流供应线和多个像素,其特征在于:其中每个所述像素包括一个开关TFT,一个电流控制TFT,和一个发光元件;和所述开关TFT包括:一个半导体层,具有位于绝缘表面上的源极区域和漏极区域,和夹在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道形成区域;第一绝缘膜,形成在所述半导体层上;一个电极,形成在所述第一绝缘膜上从而重叠在所述沟道形成区域上;一个源极配线,形成在所述第一绝缘膜上;第二绝缘膜,覆盖所述电极和所述源极配线;和一个栅极配线,形成在所述第二绝缘膜上并且与所述电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的