[发明专利]改进工艺窗口制作全自对准薄膜场效应晶体管的方法

摘要

在半导体器件突起区域开孔抗蚀剂的方法包括在沟道绝缘层上制作导电层形成突起部分,沟道绝缘层与栅电极对准;形成光致抗蚀剂层,用灰度光掩模图形化光致抗蚀剂减少突起部分上光致抗蚀剂的曝光量,使在突起部分上面导电层上的光致抗蚀剂厚度在显影后小于周围区域光致抗蚀剂的厚度。腐蚀光致抗蚀剂,使之减薄,在光致抗蚀剂中形成直达导电层的间隙,但其他部分的光致抗蚀剂仍保留,腐蚀导电层形成与沟道绝缘层自对准的源漏电极。

主权项

1.在三层薄膜晶体管器件的突起区域中开孔抗蚀剂的方法，包括以下步骤：在沟道绝缘层上制作导电层以形成突起部分，其高度高于基本上为平面的周围区域，沟道绝缘层与栅电极对准；在突起部分上方的导电层上和周围区域上形成光致抗蚀剂层；用灰度光掩模图形化光致抗蚀剂，以减少突起部分上方的光致抗蚀剂上的曝光量，使光致抗蚀剂显影后，突起部分上方的光致抗蚀剂厚度小于周围区域中的光致抗蚀剂厚度；均匀腐蚀光致抗蚀剂，只在沟道绝缘层上的光致抗蚀剂中形成直达导电层的间隙；对应于光致抗蚀剂来腐蚀导电层以形成与沟道绝缘层自对准的源电极和漏电极。