[发明专利]陶瓷组合物的制备方法和电子器件的制备方法无效
| 申请号： | 01119630.0 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1154624C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 佐藤阳;渡边康夫;福井隆史;高桥三喜夫 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/49;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性的诸如片状电容器的电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 组合 制备 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
1、一种制备介电陶瓷组合物的方法，该组合物含有用组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至一种)；其特征在于，用组合物起始材料制备介电陶瓷组合物，所述起始材料中至少一部分用于副成分的副成分起始材料预先与用于主成分的主成分起始材料反应。
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