[发明专利]磁阻元件以及磁阻效应型存储元件无效
申请号: | 01119632.7 | 申请日: | 2001-03-13 |
公开(公告)号: | CN1346155A | 公开(公告)日: | 2002-04-24 |
发明(设计)人: | 小田川明弘;榊间博;森田清之 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;G11C11/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 磁阻元件由2个阻性元件串联连接而成,至少一个是用磁阻元件。两个均为磁阻元件时,可相互独立地控制磁阻,因第1磁阻元件的非磁性体是电绝缘体、第2磁阻元件的非磁性体是导电体,使第2磁阻元件作为偏压控制元件动作,而进行第1磁阻元件的特性控制,并控制施加到存储元件上的电压。另外,将另一个用可变电阻元件构成时,可抑制来自非选择的存储元件的偏压,提高存储元件的选择性。 | ||
搜索关键词: | 磁阻 元件 以及 效应 存储 | ||
【主权项】:
1.一种磁阻元件,该磁阻元件由第1阻性元件和第2阻性元件串联连接而成,其中的第1及第2阻性元件中的一个是磁阻元件。
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