[发明专利]磁阻元件以及磁阻效应型存储元件无效

专利信息
申请号: 01119632.7 申请日: 2001-03-13
公开(公告)号: CN1346155A 公开(公告)日: 2002-04-24
发明(设计)人: 小田川明弘;榊间博;森田清之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G11C11/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 磁阻元件由2个阻性元件串联连接而成,至少一个是用磁阻元件。两个均为磁阻元件时,可相互独立地控制磁阻,因第1磁阻元件的非磁性体是电绝缘体、第2磁阻元件的非磁性体是导电体,使第2磁阻元件作为偏压控制元件动作,而进行第1磁阻元件的特性控制,并控制施加到存储元件上的电压。另外,将另一个用可变电阻元件构成时,可抑制来自非选择的存储元件的偏压,提高存储元件的选择性。
搜索关键词: 磁阻 元件 以及 效应 存储
【主权项】:
1.一种磁阻元件,该磁阻元件由第1阻性元件和第2阻性元件串联连接而成,其中的第1及第2阻性元件中的一个是磁阻元件。
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