[发明专利]决定分离闸存储胞元特性的方法无效
| 申请号： | 01119743.9 | 申请日： | 2001-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1388576A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 高启弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/66;G11C16/00;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种决定分离闸存储胞元特性的方法包括将存储胞元初始化;将存储胞元置于反操作模式;扫视存储胞元的控制闸电压;量测胞元的源极电压以及决定存储胞元的耦合比例。初始化包含将胞元的漂浮闸完全充电并在此时进行量测。定义含有其中为两耦合比例的三未知变量的第一函数与仅有两耦合比例为未知变量的第二函数。通过使用量测值解第一函数与第二函数以决定分离闸存储胞元的两耦合比例。这样可建立所述分离闸存储胞元的一准确等效模式。 | ||
| 搜索关键词： | 决定 分离 存储 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于决定一分离闸存储胞元特性的方法，包括下列步骤：将一漂浮闸完全充电；于漂浮闸完全充电时量测所述存储胞元的一参数；以及根据所述量测值决定所述存储胞元的特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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