[发明专利]集成电路研磨平坦化的方法无效
| 申请号： | 01119773.0 | 申请日： | 2001-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1153277C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/3105;H01L21/312;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体芯片表面平坦化方法包括：涂布一层聚合物材质在凹槽图样的半导体芯片上，热硬化处理聚合物材质而形成一硬化的聚合物层并进行N2O气体等离子体处理后，使部分聚合物材质转变成二氧化硅类材质且可被传统CMP氧化层研磨泥浆研磨，再沉积一层PETEOS薄膜在二氧化硅类聚合物层上，再以CMP氧化层研磨泥浆研磨二氧化硅类材质与PETEOS薄膜。本发明方法可使芯片特别是具有宽凹槽图样的芯片的平坦化不需使用特别研磨泥浆而可实现全面平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 研磨 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用化学机械研磨使半导体芯片平坦化的工艺方法，所述方法包括下列步骤：将一种含有聚合物材质的溶液涂布在一片有不平坦表面的半导体芯片上；以热处理硬化所述聚合物材质以形成一层硬化的聚合物层；对所述硬化的聚合物层进行一气体等离子体处理，使所述聚合物层一部分成为一二氧化硅类待研磨层；沉积一氧化层薄膜在所述二氧化硅类层上，且所述氧化层薄膜具有比所述二氧化硅层较低的化学机械研磨速率；以及使用化学机械研磨工艺研磨所述低研磨速率的氧化层薄膜与所述二氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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