[发明专利]浅沟渠隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 01120412.5 | 申请日： | 2001-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1396644A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘婉懿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层以及罩幕层，再定义此基底，以在基底中形成沟渠。接着，用具备高蚀刻/沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右，在基底上形成覆盖基底并填满沟渠的绝缘层。然后除去沟渠外的绝缘层，再依序除去罩幕层以及垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为：包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；定义该基底，在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化；以一高密度等离子体化学气相沉积工艺，在该基底上形成一绝缘层以覆盖该基底并填满该沟渠，其中该高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右；除去该沟渠外的该绝缘层；除去该罩幕层；以及除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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