[发明专利]氮化硅只读存储器的制造方法

摘要

本发明是有关于一种氮化硅只读存储器的制造方法。是在基底上依序形成一捕捉层，接着，在基底上形成已图案化的光阻层，以光阻层为罩幕，进行口袋离子植入步骤，将第一型掺质植入基底的源极/汲极区中，再移除部分捕捉层以使捕捉层图案化，最后进行源极/汲极离子植入步骤，将第二型掺质植入基底的源极/汲极区中，然后，去除光阻层。接着，以捕捉层为罩幕，进行热工艺，以使源极/汲极区的基底表面形成埋入式源极/汲极氧化层，同时使第二型掺质在埋入式源极/汲极氧化层下方形成埋入式源极/汲极，第一型掺质因热扩散而在埋入式源极/汲极周缘的信道区边缘形成口袋型掺杂区，最后，在基底上形成导体栅极。

主权项

1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一捕捉层，该捕捉层由一氧化层、位于该氧化层上的一氮化物层及位于该氮化物层上的一介电层所构成；在该基底上形成已图案化的一光阻层，其中该光阻层所覆盖的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一信道区，裸露的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一源极/汲极区；以该光阻层为罩幕，进行一口袋离子植入步骤，将一第一型掺质植入该基底的该源极/汲极区中；以该光阻层为罩幕，移除部分该捕捉层，以使该捕捉层图案化；以该光阻层为罩幕，进行一源极/汲极离子植入步骤，将一第二型掺质植入该基底中的该源极/汲极区中；去除该光阻层；以该捕捉层为罩幕，进行一热工艺，以使该源极/汲极区的该基底表面形成一埋入式源极/汲极氧化层，同时使该第二型掺质在该埋入式源极/汲极氧化层下方形成一埋入式源极/汲极，该第一型掺质因热扩散而在该埋入式源极/汲极周缘的该信道区边缘形成一口袋型掺杂区；以及在该基底上形成一导体栅极。