[发明专利]双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构

摘要

一种双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构，包括：第一PMOS管，源极和衬底接在高幅值的脉冲电源，门极和漏极接在A结点和B结点；第二PMOS管，源极和衬底都接在高幅值的脉冲电源上，门极和漏极接在B结点和A结点；第一NMOS管，漏极接在B结点，源极接地，门极接输入信号；第二NMOS管，漏极接在A结点，源极接地，门极接另一输入信号；第三NMOS管，其漏极接在输出结点C，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接B结点；第四NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接在A结点；第五NMOS管，漏极接在输出结点C，源极接地，门极接A结点；第六NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接地，门极接B结点；所有的NMOS管的衬底均接地。

主权项

1、一种双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构，其特征在于：其中包括：第一PMOS管，其源极和衬底都接在高幅值的脉冲电源上，其门极和漏极分别接在A结点和B结点上；第二PMOS管，其源极和衬底都接在高幅值的脉冲电源上，其门极和漏极分别接在B结点和A结点上；第一NMOS管，其漏极接在B结点上，源极接地，门极接输入信号；第二NMOS管，其漏极接在A结点上，源极接地，门极接另一输入信号；第三NMOS管，其漏极接在输出结点C上，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接B结点上；第四NMOS管，其漏极接在输出结点D上，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接在A结点上；第五NMOS管，其漏极接在输出结点C上，源极接地，门极接A结点上；第六NMOS管，其漏极接在输出结点D上，源极接地，门极接B结点上；以上所述的所有的NMOS管的衬底均接地。