[发明专利]平面显示器制造方法

摘要

本发明为一种薄膜晶体管平面显示器制造方法，其中包括使用四次照相腐蚀步骤及一次背面曝光步骤，形成一平面显示器中的薄膜晶体管。其中，利用第一次照相腐蚀步骤形成栅极，利用第二次照相腐蚀步骤形成源极与漏极电极，接着，自基板背面曝光并蚀刻以形成一岛状结构，利用第三次照相腐蚀步骤形成一保护层，最后再利用第四次照相腐蚀步骤形成一像素电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，前述薄膜晶体管形成于一透明绝缘基板上，该方法包括下列步骤：(a)在上述基板上形成一栅极金属线；(b)在上述基板与上述栅极金属线上依次形成一绝缘层、一半导体层、一掺杂硅层及一信号金属层；(c)定义上述掺杂硅层与上述信号金属层的图案，以形成一漏极电极与一源极电极，且上述漏极电极与源极电极之间定义为一信道；(d)在上述半导体层、漏极电极、源极电极上、与信道中形成一光致抗蚀剂层；(e)自上述基板底部对上述光致抗蚀剂层曝光，移除受光照射的光致抗蚀剂层，再以存留的光致抗蚀剂层为屏蔽，移除未被上述存留的光致抗蚀剂层覆盖的半导体层，以形成一包括上述半导体层、掺杂硅层、漏极电极、与源极电极的一岛状结构；(f)移除上述光致抗蚀剂层，并在上述绝缘层、漏极电极、源极电极及半导体层上，形成一保护层，上述保护层具有至少一第一开口与一第二开口，其中上述第一开口位在上述漏极电极上方，第二开口位在上述源极电极上方；以及(g)在上述保护层上更形成一漏极像素电极与一源极像素电极，上述漏极像素电极藉由上述第一开口与上述漏极电极接触，且上述源极像素电极藉由上述第二开口与上述源极电极接触。