[发明专利]只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置有效
申请号: | 01120869.4 | 申请日: | 2001-06-08 |
公开(公告)号: | CN1336690A | 公开(公告)日: | 2002-02-20 |
发明(设计)人: | 中村宽;今宫贤一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L29/78;G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体存储装置具备把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列;在选择上述存储器单元阵列的字线的同时,向字线传送电压的行译码器电路。上述行译码器电路具备第1导电类型的多个第1晶体管,其电流通路的一端被分别直接连接在各条字线上;第2导电类型的第2晶体管,和第1导电类型极性相反,在向选择出的字线传送电压的动作时,向被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极传送电压。向上述选择出的字线的电压传送只用第1导电类型的第1晶体管进行。 | ||
搜索关键词: | 只用 沟道 晶体管 选字线 传送 电压 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体存储装置,具备:把存储器单元排列成矩阵的存储器单元阵列;行译码器电路,在选择上述存储器单元阵列的字线的同时,向字线传送电压,上述行译码器电路包括:第1导电类型的多个第1晶体管,其电流通路的一端分别被直接连接在各条字线上;第2导电类型的第2晶体管,和第1导电类型极性相反,在向选择出的字线传送电压的动作时,向被连接在选择出的字线上的上述第1晶体管的栅极传送电压;其中,向选择出的字线的电压传送,只用第1导电类型的第1晶体管进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的