[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的课题是提高反向偏置下的特性。P基层(6)作为相互平行的多个带形部分配置。在P基层(6)的底部，不形成有高杂质浓度的下方突起部分即P⁺基层。P基层(6)以浅于N层(17)的方式形成，此外，形成P基层(6)的多个带形部分在其端部被相互连接起来。还有，N源层(5)为梯形，仅通过梯形的横档部分连接到源电极(16)。

主权项

1.一种半导体器件，包括有上主面和下主面的半导体衬底，其特征在于，包括：第1导电类型的第1半导体层；以暴露于所述上主面的方式在所述第1半导体层上形成、并且比该第1半导体层杂质浓度为高的第1导电类型的第2半导体层；比该第2半导体层为浅并在所述上主面上有选择地形成、作为相互平行的多个带形部分分开配置。并且没有在底部杂质浓度比周边为高的下方突起部分的第2导电类型的第3半导体层；在所述上主面上有选择地形成、作为相互平行的多个梯形部分分开配置、该多个梯形部分的每一部分逐一对应于所述多个带形部分中至少一个部分的任何一个并在带形部分内侧、比带形部分为浅并且沿带形部分延伸而以此形成的第1导电类型的第4半导体层；以及在所述上主面上有选择地形成、使所述多个带形部分相互连接的第2导电类型的第5半导体层，所述半导体器件进而包括：在所述上主面中夹在所述多个梯形部分的相邻各组之间的区域上所形成的绝缘膜；在该绝缘膜上形成并与所述区域相对的栅电极；连接到所述多个带形部分的每一部分和所述多个梯形部分的每一部分、并且至少通过梯形部分的横档部分连接到该多个梯形部分的每一部分的第1主电极；以及连接到所述下主面的第2主电极。