[发明专利]保护元件有效
申请号: | 01121500.3 | 申请日: | 2001-05-17 |
公开(公告)号: | CN1324086A | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 古内裕治;川津雅巳 | 申请(专利权)人: | 索尼化学株式会社 |
主分类号: | H01H37/76 | 分类号: | H01H37/76 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种保护元件1p,在基板上具有发热体3和低熔点金属体5,由发热体3的发热来熔断低熔点金属体5,通过流过电极7a、7b、7c来熔断该低熔点金属体5,满足下式[低熔点金属体的截面积]/[熔断有效电极面积]≤0.15(1)。或者,将通过熔融的低熔点金属体5流过的电极7a、7b、7c中低融点金属体5而相邻的电极彼此间的距离作为电极间距离的情况下,满足下式2.5≤[电极间距离]/[低熔点金属体的截面积]≤30(2)。 | ||
搜索关键词: | 保护 元件 | ||
【主权项】:
1.一种保护元件,在基板上具有发热体和低熔点金属体,由发热体的发热来熔断低熔点金属体,通过流过电极来熔断该低熔点金属体,其特征在于:将低熔点金属体的截面积作为在与流过低熔点金属体的电流方向垂直的面中的该低熔点金属体的截面积的、在其电流方向上的平均值,并在将熔断有效电极面积作为对于流过熔融的低熔点金属体的各电极而言、低熔点金属体完全熔融、开始流动后的一分钟内熔融状态的低熔点金属体沾湿所得到的电极面积的情况下,对于至少一个熔融的低熔点金属体流过的电极而言,满足下式:[低熔点金属体的截面积]/[熔断有效电极面积]≤0.15(1)。
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