[发明专利]羟基镓酞菁化合物,其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件无效
| 申请号： | 01121638.7 | 申请日： | 1997-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1356597A | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | 田中正人 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/09 | 分类号： | G03G5/09;C09B67/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对半导体激光器发射的长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件是通过用一种晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羟基镓酞菁作为电荷生成材料来形成的。这种羟基镓酞菁优选地是通过下面方法制备的,包括处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁,将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁,和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 镓酞菁 化合物 制备 方法 这种 照相 感光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种电照相感光元件，包括：电导支撑体，和形成在该电导支撑体上至少一个感光层，所述的感光层含一种羟基镓酞菁，其晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)。
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