[发明专利]磁隧道效应型磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 01121758.8 | 申请日： | 2001-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1337673A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 中盐荣治;尾上精二;菅原淳一;片仓亨 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁隧道效应型磁头,包含作为下屏蔽层24的第一软磁性导电层、在第一软磁性导电层上形成的作为下间隙层26的金属氧化物层25和第一非磁性导电层、在第一非磁性导电层上形成的作为磁隧道结元件27的磁隧道结层34、在磁隧道结层34上形成的作为上间隙层28的第二非磁性导电层以及在第二非磁性导电层上形成的作为上屏蔽层29的第二软磁性导电层。下间隙层26中的金属氧化物层25至少在磁隧道结层27的下面形成。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 效应 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道效应型磁头，包含：作为下屏蔽层的第一软磁性导电层；在第一软磁性层上形成的、作为下间隙层的金属氧化物层和第一非磁性导电层；在第一非磁性导电层上形成的、作为磁隧道结元件的磁隧道结层；在磁隧道结层上形成的、作为上间隙层的第二非磁性导电层；以及在第二非磁性导电层上形成的、作为上屏蔽层的第二软磁性导电层；上述下间隙层的金属氧化物层至少置于磁隧道结层的下面。
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