[发明专利]MOS型固体摄象装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01121817.7 | 申请日： | 2001-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1330409A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 石渡宏明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS型固体摄象装置,即便是MOS器件微细化,也能同时实现电荷传送能力提高和穿通防止。在光电二极管的n－信号存储区域2的正下边,不形成p+型穿通防止区域6。在p型半导体衬底1内形成n－信号存储区域2。在形成光电二极管和读出门电路的器件区域A以外的器件区域B上,在该器件区域B的整个区域上形成p+型穿通防止区域6。此外,为了防止器件间的穿通,也在绝缘隔离层的正下边形成p+型穿通防止区域6。在n型第1半导体区域4的正下边,也可以形成p+型穿通阻挡层5。 | ||
| 搜索关键词： | mos 固体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS固体摄象装置，其特征是：具备：在第1导电类型的半导体衬底内形成的光电变换器件；在上述半导体衬底的第1器件区域内形成的，用来读出由上述光电变换器件产生的电荷的第2导电类型的第1MOS晶体管(transistor)；以及在上述半导体衬底的第2器件区域内形成的第2导电类型的第2MOS晶体管，在整个上述第2器件区域上设置用来防止穿通(punch-through)的第1穿通防止区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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