[发明专利]半导体薄膜的制造方法和采用所述薄膜的磁电转换元件有效
| 申请号： | 01121978.5 | 申请日： | 2001-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1330391A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 植田雅也;佐藤友春;西川雅永 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L43/08;H01L43/06;G01B7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种高载流子迁移率半导体薄膜的制造方法和配用该方法制造的半导体薄膜的磁电转换元件。将硅单晶衬底的温度升至270℃～320℃,用电子束加热型真空蒸发法形成铟缓冲层,接着形成由锑与铟组成的原始籽晶层。将硅单晶衬底的温度升至460℃～480℃,之后设置一段由硅单晶衬底预定的温度函数近似算出的保持时间,于是形成了由锑与铟组成的主生长层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 制造 方法 采用 磁电 转换 元件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(a)从具有硅单晶表面的衬底上除去表面氧化物膜；(b)对所述衬底的表面作氢终止(terminating)；(c)在所述衬底上形成含铟缓冲层；(d)在所述缓冲层上形成含铟与锑的原始籽晶层；和(e)在所述原始籽晶层上形成含铟与锑的主生长层，同时将所述衬底的温度保持于460℃～480℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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