[发明专利]用于涂敷和显影的方法和系统无效
申请号: | 01122126.7 | 申请日: | 2001-05-11 |
公开(公告)号: | CN1323057A | 公开(公告)日: | 2001-11-21 |
发明(设计)人: | 北野淳一;松山雄二;北野高广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16;G03F7/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林长安 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在对基片进行涂敷和显影处理的过程中,本发明包含步骤给基片供应保护溶液而在基片上形成涂层;在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理;在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入所述腔室,此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间,以便从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质,其中预定压力和预定时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。根据本发明,可以在曝光处理之前去除附着在基片的涂层上的分子级杂质比如水分、水蒸气、氧气、臭氧有机物等,和比如细小颗粒的杂质,所以曝光处理可以在更好的条件下进行而不被这些杂质所影响。因为用于减小压力的预定压力和预定时间,或者用于减小压力的速度根据在预定位置测量的杂质密度进行调节,所以附着在基片上的杂质比如水分、氧气等可以在根据附着杂质量的更合适的最小需求条件下去除。 | ||
搜索关键词: | 用于 显影 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于在涂敷和显影处理系统的处理区对基片进行涂敷和显影处理的涂敷和显影处理方法,包含步骤:给基片供应涂敷溶液而在基片上形成涂层;在基片经过不包含在该系统内的光刻器曝光处理之后在处理区对基片进行显影处理;在形成涂层的步骤之后和在曝光处理之前将基片送入腔室,此后减小该气密密封的腔室内的压力到预定的压力并持续预定时间,以从腔室内的基片上去除附着在基片上的杂质;其中预定的压力和预定的时间根据测量到的处理区内的杂质密度进行调整。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01122126.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:将气体输入液体中的设备
- 下一篇:温度推定方法及其设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造