[发明专利]金属互接件以及采用金属互接件的有源矩阵基底有效
| 申请号： | 01122166.6 | 申请日： | 2001-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1326227A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 近间义雅;和泉良弘 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一玻璃基底11上形成的用于互接件的接地图案薄膜12,以及一通过在接地图案薄膜12上有选择地进行喷镀而形成的喷镀膜13。喷镀膜13两侧与玻璃基底11表面形成的锥角α的范围为0<α≤90°。这种结构可在喷镀膜13上形成新的金属线,而不会发生断裂,并可在喷镀膜13上制作一新的薄膜的图案,而不会产生残留膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互接件 以及 采用 有源 矩阵 基底 | ||
【主权项】：
1、在玻璃基底(11)上形成的金属互接件，该金属互接件包括一用于互接线的接地图案薄膜(12)和一通过在接地图案薄膜上有选择地进行喷镀而形成的喷镀膜(13)，其特征在于喷镀膜(13)两侧与玻璃基底(11)表面形成的锥角α的范围为0＜α≤90°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
