[发明专利]制造软恢复快速功率二极管的方法及其制造的功率二极管无效
| 申请号： | 01122481.9 | 申请日： | 2001-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1333555A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | N·加尔斯特 | 申请（专利权）人： | ABB半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑立柱,郑志醒 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在制造具有软恢复特性(“软恢复”)快速功率二极管(26)的方法上,在此方法上通过具有轴向分布图的一个第一未掩蔽的辐射(14)和通过具有横向分布图的一个随后的第二掩蔽的辐射(15)确定所属半导体衬底(10)之内的载流子寿命,如此来达到改善的截止特性,第一未掩蔽辐射是通过其确定功率二极管开关特性的一种离子辐射(14),并且第二掩蔽的辐射是通过其减少功率二极管激活面积的一种电子辐射(15)。在用一种这样的半导体衬底(10)配备的功率二极管上达到涉及功率二极管激活面积的热阻抗Rth的减小。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 恢复 快速 功率 二极管 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.制造具有软恢复特性(“软恢复”)的快速功率二极管(26)的方法，在此方法上通过具有轴向分布图的一个第一未掩蔽的辐射(14)和通过具有横向分布图的一个随后的第二掩蔽的辐射(15)确定所属半导体衬底(10)之内的载流子寿命，其特征在于，第一未掩蔽的辐射是通过其确定功率二极管(26)开关特性的一种离子辐射(14)，并且第二掩蔽的辐射是通过其减少功率二极管(26)激活面积的一种电子辐射(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
