[发明专利]无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置有效

专利信息
申请号: 01123079.7 申请日: 2001-07-25
公开(公告)号: CN1348190A 公开(公告)日: 2002-05-08
发明(设计)人: K·霍夫曼;O·科瓦里克 申请(专利权)人: 因芬尼昂技术股份公司
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;G11C7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,张志醒
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及用于无损自规一化读出MRAM存储器的存储单元的一种方法和一种装置。在此用存储单元的与存储器内容无关的电阻值将读出信号规一化。
搜索关键词: 无损 读出 磁阻 随机存取存储器 存储 单元 方法 装置
【主权项】:
1.用于无损读出MRAM存储器的存储单元的方法,其特征在于以下的方法步骤:(a)确定在一种电压时存储单元的标准电阻值(Rnorm),在此电压时存储单元的电阻值与存储单元的单元内容无关,(b)确定在一种电压时存储单元的实际电阻值R(0)或R(1),在此电压时存储单元的电阻值取决于存储单元的单元内容,(c)借助标准电阻值通过形成Rnorm(0)=R(0)/Rnorm或Rnorm(1)=R(1)/Rnorm规一化实际电阻值,(d)将Rnorm(0)或Rnorm(1)与基准值比较和(e)取决于比较结果检测作为0或1的存储单元内容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01123079.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top