[发明专利]无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置有效
申请号: | 01123079.7 | 申请日: | 2001-07-25 |
公开(公告)号: | CN1348190A | 公开(公告)日: | 2002-05-08 |
发明(设计)人: | K·霍夫曼;O·科瓦里克 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C7/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,张志醒 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于无损自规一化读出MRAM存储器的存储单元的一种方法和一种装置。在此用存储单元的与存储器内容无关的电阻值将读出信号规一化。 | ||
搜索关键词: | 无损 读出 磁阻 随机存取存储器 存储 单元 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.用于无损读出MRAM存储器的存储单元的方法,其特征在于以下的方法步骤:(a)确定在一种电压时存储单元的标准电阻值(Rnorm),在此电压时存储单元的电阻值与存储单元的单元内容无关,(b)确定在一种电压时存储单元的实际电阻值R(0)或R(1),在此电压时存储单元的电阻值取决于存储单元的单元内容,(c)借助标准电阻值通过形成Rnorm(0)=R(0)/Rnorm或Rnorm(1)=R(1)/Rnorm规一化实际电阻值,(d)将Rnorm(0)或Rnorm(1)与基准值比较和(e)取决于比较结果检测作为0或1的存储单元内容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01123079.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。