[发明专利]无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置有效
| 申请号： | 01123079.7 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1348190A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | K·霍夫曼;O·科瓦里克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于无损自规一化读出MRAM存储器的存储单元的一种方法和一种装置。在此用存储单元的与存储器内容无关的电阻值将读出信号规一化。 | ||
| 搜索关键词： | 无损 读出 磁阻 随机存取存储器 存储 单元 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.用于无损读出MRAM存储器的存储单元的方法，其特征在于以下的方法步骤：(a)确定在一种电压时存储单元的标准电阻值(Rnorm)，在此电压时存储单元的电阻值与存储单元的单元内容无关，(b)确定在一种电压时存储单元的实际电阻值R(0)或R(1)，在此电压时存储单元的电阻值取决于存储单元的单元内容，(c)借助标准电阻值通过形成Rnorm(0)＝R(0)/Rnorm或Rnorm(1)＝R(1)/Rnorm规一化实际电阻值，(d)将Rnorm(0)或Rnorm(1)与基准值比较和(e)取决于比较结果检测作为0或1的存储单元内容。
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