[发明专利]平面磁性传感器和用于多维磁场分析的平面磁性传感器无效

专利信息
申请号: 01123223.4 申请日: 2001-07-20
公开(公告)号: CN1335515A 公开(公告)日: 2002-02-13
发明(设计)人: 本多茂男;山根秀之;榎芳美;我田茂树 申请(专利权)人: 株式会社三角工具加工
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供平面磁性传感器和用于多维磁场分析的平面磁性传感器,可在短时间内在大面积上测量磁场。平面磁性传感器10包括由磁电阻效应膜制成的检测层11以及在磁电阻效应膜各个表面上层叠的导体层12、13,导体层12、13由多个线状导体膜12a、13a制成,线状导体膜12a、13a沿着各表面以直线状形成且在它们之间有预定的间隔。在平面视图内导体层12的线状导体膜12a和导体层13的线状导体膜13a排列为相互交叉,且在它们之间有磁电阻效应膜。
搜索关键词: 平面 磁性 传感器 用于 多维 磁场 分析
【主权项】:
1.一种平面磁性传感器,包括:由任意大小的平面磁电阻效应膜构成的检测层,在该检测层中仅当电压达到或超过预定值时因隧道效应才有电流通过,并且在磁粒的磁化方向随磁场强度发生改变时该检测层改变其电阻值以表现出巨磁电阻效应;以及在磁电阻效应膜各个表面上层叠的导体层,该导体层包括多个线状导体膜,这些线状导体膜是沿着各个表面方向以直线形状形成的,且在它们之间有预定的间隔;其中,在平面视图内一个导体层的线状导体膜和另一导体层的线状导体膜排列为相互交叉,且在它们之间有磁电阻效应膜。
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