[发明专利]制备光电探测器的方法

摘要

一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用于光电探测器的制备领域。

主权项

1.一种制备光电探测器的方法，其步骤包括： 1)制备光电探测器单元版图； 2)生长氧化硅前作炉管预处理： 净化炉管； 升炉温到1100℃； 通三氯己烯处理炉管2小时； 降炉温到800℃； 然后将洗净的硅片放入炉管； 3)生长氧化硅： 升炉温到大于1000℃，通氧气2-10分钟； 同时通入氧气和氮气大于或等于10分钟，生长氧化硅； 在炉管水汽氧化2-3小时； 然后干氧生长20-30分钟，然后通氮断氧，生长厚度大于或等于800纳米的 氧化硅； 将炉管慢降温； 取出硅片； 4)背面扩磷： 用胶保护硅片正面，腐蚀掉背面氧化层，然后背面扩磷： 5)光刻有源区； 6)浅结注入硼； 7)退火； 8)光刻引线孔； 9)溅射铝引线，得到光电探测器芯片。