[发明专利]镇流器铁芯片冲压新工艺无效

专利信息
申请号: 01123968.9 申请日: 2001-08-09
公开(公告)号: CN1407567A 公开(公告)日: 2003-04-02
发明(设计)人: 周金寰 申请(专利权)人: 顺德市明亚斯电器有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528322 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种镇流器铁芯片冲压新工艺,其E形芯片和E形芯片采用互相半错开的排列方式,I形芯片采用缝中植排的方法设计使余料部分狭小,冲制时共有10个工步,先冲2个导正孔及余料,再冲4个叠装点,使I形芯片落料后叠装,然后E芯片冲6个叠装点及冲压其余料,用方销定位,接着上下E芯片在先后位置落料叠装,每次冲压共制成E形芯片和I形芯片各两片,本工艺充分使用硅钢片原材料,利用率高,效率高,冲压片质量光滑平整。
搜索关键词: 镇流器 芯片 冲压 新工艺
【主权项】:
1、一种镇流器铁芯片冲压新工艺,其特征在于本工艺共分10个工步:①先冲2个导正孔a21及余料b22、余料c23;②冲4个叠装点d24,设定芯片叠装片数计量分开;③空步;④I形芯片落料,后叠装;⑤空步;⑥冲6个叠装点e25,;⑦冲压2个余料f26;⑧用方销g27开始导正定位;⑨上部E形芯片落料,叠装;⑩下部E形芯片落料,叠装;以上10个工步在一次冲压过程中同时完成。
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