[发明专利]可改善浅沟槽边角薄膜生长均匀性的二氧化硅制造方法无效
| 申请号： | 01124257.4 | 申请日： | 2001-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1402331A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苏金达;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可改善浅沟槽边角薄膜生长均匀性的二氧化硅制造方法。首先，将氢气和氧气通入内有硅基底的反应室中。然后，将反应室的温度快速升高，并保持反应室的压力在低压状态下，使反应室内的氢气和氧气得以反应产生氧原子，其中氧原子可与硅基底反应，而在硅基底上产生二氧化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 边角 薄膜 生长 均匀 二氧化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可改善浅沟槽边角薄膜生长均匀性的二氧化硅制造方法，包括：将一硅基底置入一反应室中，其中该硅基底上开有多个沟槽；将氢气和氧气通入该反应室中；以及将该反应室的温度升至约850℃至1200℃，并将该反应室的压力降至约5至15托耳，以产生多个氧原子，使这些氧原子与该硅基底反应，而在该硅基底上产生二氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
