[发明专利]新型全SiNx微结构谐振梁压力传感器无效
| 申请号： | 01124284.1 | 申请日： | 2001-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1401979A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 于中尧;崔大付 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01L7/00 | 分类号： | G01L7/00;G01D5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种新型全SiNx微结构谐振梁压力传感器，包括谐振梁(10)、谐振梁上的金属电极(11)和激振电阻(13)、硅衬底(15)，SiNx压力敏感膜(17)位于硅衬底(15)上部，谐振梁(10)的下部。本发明实现梁膜一体化，简化工艺，实现更高精度和微小物理量的测量。梁的尺寸可以精确控制，而且均匀性好，使得压力传感器的物理参数有可能得到精确控制。易于实现微梁谐振器，从而制作微梁压力传感器，达到进一步降低器件成本的目的。实现微传感器的集成化和阵列化。例如微梁压力传感器与测试系统的集成，压力传感器和其它传感器的混合集成。由于SiNx具有更好的机械加工性能，可以制作更为复杂的谐振粱器件。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 sinx 微结构 谐振 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种新型全SiNx微结构谐振梁压力传感器，包括谐振梁(10)、谐振梁上的金属电极(11)和激振电阻(13)、硅衬底(15)，其特征在于SiNx压力敏感膜(17)位于硅衬底(15)上部，谐振梁(10)的下部。
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