[发明专利]具尖角的非挥发性记忆体的制造方法有效
| 申请号： | 01124291.4 | 申请日： | 2001-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1402336A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具尖角的非挥发性记忆体的制造方法，包括在半导体底材上形成第一介电材料层作为闸极介电材料，并沉积第一导电层于第一介电材料层上；沉积第二介电材料层于第一导电层上。此第二介电材料层与第一导电层为下一层图案；通过非等向性蚀刻制作具尖角的导电间隙壁；在此含有间隙壁及图案结构的浮动闸极上形成隧穿介电材料层；再于此隧穿介电材料层上形成第二导电层作为控制闸极。具有改善电子注射效率的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 具尖角 挥发性 记忆体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具尖角的非挥发性记忆体的制造方法，其特征是：该方法至少包括下列步骤：(1)形成第一介电层于半导体底材上，以作为闸极介电材料：(2)形成第一导电层在该第一介电层上；(3)形成第二介电层在该第一导电层上；(4)形成图案于该第二介电层与第一导电层上；(5)于接邻该成图后的第二介电层与第一导电层上形成具尖角的导电间隙壁。其中该导电间隙壁、第二介电层与第一导电层扮演浮动闸极的角色；(6)形成隧穿介电层于该浮动闸极的表面上；(7)形成第二导电层于该隧穿介电层上以作为控制闸极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
