[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 01124308.2 | 申请日： | 2001-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1327262A | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | G·达拉姆;帕尔;野本和正;町田晓夫;中越美弥子;碓井节夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层,通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说,对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷,同时不会对衬底造成热损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在衬底上形成一个半导体层；选择性地在半导体层上形成一个金属层，并在半导体层和金属层之间有一个绝缘层；用金属层作为掩膜选择性地将杂质掺入半导体层；形成一个能量吸收层以覆盖绝缘层和金属层；和从能量吸收层一侧辐射能量束来激活掺在半导体层中的杂质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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