[发明专利]纵向耦合谐振器型的声表面波滤波器有效
申请号: | 01124310.4 | 申请日: | 2001-06-26 |
公开(公告)号: | CN1338820A | 公开(公告)日: | 2002-03-06 |
发明(设计)人: | 高峰裕一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H9/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器中包括有由相邻的IDT末端部分提供的窄间距手指电极部分,该窄间距手指电极部分所具有的一部分手指电极的间距比该IDT中其它部分的手指电极的间距要窄,至少一对相邻手指电极中心间的距离均偏离0.25λA+0.25λB,其中λA表示由其中一个手指电极的间距决定的波长,λB表示由其中另一个手指电极的间距决定的波长。 | ||
搜索关键词: | 纵向 耦合 谐振器 表面波 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种纵向耦合谐振器型声表面波滤波器,包括有:一个压电基底;装在压电基底上,在声表面波的传播方向并分别有多个手指电极的第一、第二和第三IDT;至少第一、二、三IDT中的一个,其中的IDT含有至少一个在其内部被排列在邻近邻近的IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短的窄间距手指电极部分;至少第一、二、三IDT中的一个最少包括一个窄间距手指电极部分,在窄间距手指电极部分中被排列在邻近IDT一侧的IDT末端的一部分手指电极的间距比该IDT中剩余部分手指电极的间距要短。偏离0.25λA+0.25λB的至少一对相邻手指电极中心间的距离,其中λA表示由一个手指电极的间距决定的波长,λB表示由另一个手指电极的间距决定的波长。
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