[发明专利]制作电绝缘层的方法有效
| 申请号： | 01124401.1 | 申请日： | 2001-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1399313A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赖俊仁;陈建维 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制作电绝缘层的方法，至少包括提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；形成一硅层于所述底材上；形成一氮化物层于所述硅层上；蚀刻部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；形成一四氧乙基硅层于所述渠沟内与所述氮化物层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层；进行一蚀刻制程并设定所述四氧乙基硅层的一被蚀刻速率高于所述氮化物层的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述四氧乙基硅层；设定所述氮化物层的所述被蚀刻速率高于所述四氧乙基硅层的所述被蚀刻速率；及移除所述氮化物层。本发明利用氧化物层与氮化物层的不同的被蚀刻速率的方式，可以制作表面较为平坦的电绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作电绝缘层的方法，其特征在于，至少包括：提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；形成一硅层于所述底材上；形成一氮化物层于所述硅层上；蚀刻部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；形成一四氧乙基硅层于所述渠沟内与所述氮化物层上，并填满所述渠沟以形成一电绝缘层；进行一蚀刻制程并设定所述四氧乙基硅层的一被蚀刻速率高于所述氮化物层的一被蚀刻速率以蚀刻部分的所述四氧乙基硅层；设定所述氮化物层的所述被蚀刻速率高于所述四氧乙基硅层的所述被蚀刻速率；及移除所述氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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