[发明专利]一种亚微米级碳化硅的生产方法无效

专利信息
申请号: 01124696.0 申请日: 2001-08-07
公开(公告)号: CN1137046C 公开(公告)日: 2004-02-04
发明(设计)人: 祁利民;吴澜尔;刘雅琴;马丽娟;杨政红;马泉山;王富洲;杨继光;张吉庆 申请(专利权)人: 宁夏回族自治区新技术应用研究所
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;B24D3/34;C09K3/14;C08J5/14
代理公司: 宁夏专利服务中心 代理人: 叶学军
地址: 750021宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明涉及一种亚微米级碳化硅的生产方法,包括在碳化硅研磨介质存在的条件下,将粒度为100-1500目的碳化硅稀料浆研磨60~90小时,其特点是在碳化硅稀浆料中添加分散剂,并将碳化硅研磨介质按其粒径的大、中、小配比加入,本发明具有设备投资小,生产工艺简单,质量容易控制等优点,它只进行一次粉碎加工就能达到使85-99%的碳化硅粉体粒径小于1微米。
搜索关键词: 一种 微米 碳化硅 生产 方法
【主权项】:
1.一种亚微米级碳化硅的生产方法,包括在碳化硅研磨介质存在的条件下,将粒度为100-1500目的碳化硅稀料浆研磨60~90小时,其特征是:在上述碳化硅稀料浆中添加分散剂,所述分散剂为阴离子型表面活性剂与非离子型表面活性剂的组合物,其加入量为物料重量的1-5%;所述碳化硅研磨介质是按其粒径的大、中、小以1∶3-10∶20-30的重量配比加入,其大球直径为10-20毫米,中球直径为5-10毫米,小球直径为1-2毫米。
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