[发明专利]具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法无效
| 申请号： | 01124990.0 | 申请日： | 2001-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1402334A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 骆统;林经祥;黄燿林 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8246;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，它包括一第一介电层形成于具有一第一导电性的一半导体基底上，一第一导电层形成于第一介电层上，一第二介电层形成于第一导电层上，其中第二介电层依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于第一导电层上而形成；一第二导电层形成于第二介电层上；图案蚀刻第一介电层、第一导电层、第二介电层及第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极、一第二闸极介电层及一控制闸极；最后，形成具有电性相反于第一导电性的一第二导电性的一漏极/源极于浮动逻辑闸极一侧的半导体基底中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 介电层 半导体 内存 组件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，其特征在于，至少包括：形成一第一介电层于具有一第一导电性的一半导体基底上；形成一第一导电层于所述第一介电层上；形成一第二介电层于所述第一导电层上，所述第二介电层是通过依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于所述第一导电层上而形成；形成一第二导电层于所述第二介电层上；图案蚀刻所述第一介电层、所述第一导电层、所述第二介电层及所述第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极、一第二闸极介电层及一控制闸极；及形成具有电性相反于所述第一导电性的一第二导电性的一漏极/源极于所述浮动逻辑闸极一侧的所述半导体基底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
