[发明专利]制作栅极介电层的方法

摘要

一种以单一晶片工序制作栅极介电层的方法，所述方法包括分别在一单晶片反应室及一单晶片快速加热反应室进行的两步骤：首先，置放一单一硅晶片于单晶片反应室中，并进行氮化步骤以形成含氮氧化硅层于硅晶片的表面上。然后，置放硅晶片于单晶片快速加热工序反应室中，并进行随同蒸气产生氧化的工序，将此含氮氧化硅层氧化成具氮氧化硅底层的氧化硅层，以供做栅极介电层。

主权项

1.一种制作栅极介电层的方法，其特征在于，至少包括：提供具有一第一导电性的单一硅晶片；形成数个隔离区于所述硅晶片中；形成具有电性与所述第一导电性相反的第二导电性的一阱区于一对所述隔离区之间的所述硅晶片的顶部区域；置放所述硅晶片于设备单元中的一单晶片反应室中，并进行氮化步骤以成一含氮氧化硅层于所述阱区的一表面上；及置放所述硅晶片于所述设备单元中的一单晶片快速加热工序反应室中，并进行随同蒸气产生氧化的工序，以将所述含氮氧化硅层氧化成具有氮氧化硅底层的氧化硅层，以供做栅极介电层。