[发明专利]形成金属－绝缘层－金属电容器的方法有效
| 申请号： | 01125089.5 | 申请日： | 2001-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1400646A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;黄守伟;邱建智;黄宇萍 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01G4/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成金属－绝缘层－金属电容器的方法，包括提供一具有第一区域与第二区域的底材；形成一覆盖底材的第一导体层；形成一覆盖第一导体层的第二导体层；转移数个沟渠图案进入第二导体层与第一导体层，以形成数个沟渠于第一区域与第二区域内；共形生成一覆盖第二导体层与第一导体层的介电层；形成一覆盖介电层的第三导体层；形成一覆盖第一区域的光阻层；移除位于第二区域上的第三导体层以曝露出位于第二区域上的介电层；移除位于第二区域上的介电层以曝露出位于第二区域上的第二导体层与第一导体层；蚀刻位于第二区域内的沟渠的底部以曝露出底材；及移除光阻层。本发明可增加电容器的电荷储存面积但不增加占用面积以可提高其电容值与集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 绝缘 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属-绝缘层-金属电容器的方法，所述方法至少包含下列步骤：提供一底材，所述底材具有一第一区域与一第二区域；形成一覆盖所述底材的第一导体层；形成一覆盖所述第一导体层的第二导体层；转移数个沟渠图案进入所述第二导体层与所述第一导体层，以形成数个沟渠于所述第一区域与所述第二区域内；共形生成一覆盖所述第二导体层与所述第一导体层的介电层；形成一覆盖所述介电层的第三导体层；形成一覆盖所述第一区域的光阻层；移除位于所述第二区域上的所述第三导体层以曝露出位于所述第二区域上的所述介电层；移除位于所述第二区域上的所述介电层以曝露出位于所述第二区域上的所述第二导体层与所述第一导体层；蚀刻位于所述第二区域内的所述沟渠的底部以曝露出所述底材；及移除所述光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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