[发明专利]薄膜场致发光元件无效
| 申请号： | 01125159.X | 申请日： | 2001-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1388734A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 中山隆博;荒谷介和 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明用于实现有机LED发光的高效率化。即,本发明采取用自旋转换材料14a作为生成激励状态的发光层14的主要材料,其中个别地添加发光材料14b的构成,有效地利用激励状态。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.薄膜场致发光元件，其特征是备有利用电子-空穴复合发生的激励状态产生光子的发光层，上述发光层包含轨道角动量量子数和激励状态的自旋量子数通过相互作用可以交换的材料，和混合在上述材料中的发光性分子。
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