[发明专利]单片集成的电感

摘要

本发明涉及一种单片集成的电感，它由一个用导电层(P1～P4)和绝缘层(I1～I3)构成的层序列组成，所述的导电层和绝缘层相互交替地上下错开叠放，其中如此地构造所述的导电层(P1～P4)，使得它在一个可以装设GMR材料(WM，TB，HM)的中心区周围形成一种线圈形结构。

主权项

1.单片集成的电感，包括多个相互交替的导电层(P1～P4)和绝缘层(I1～I3)、以及穿过所述绝缘层(I1～I3)把所述导电层(P1～P4)相互连接起来的触点(K21，K32，K43)，-其中所述的导电层(P1～P4)和绝缘层(I1～I3)被上下错开地叠放，且所述的绝缘层(I1～I3)被构造成全平面的，-其中在每个导电层(P1～P4)内，另外还用一种附加的绝缘层来代替中心区(M1～M4)和与该中心区相关的边缘区(R1～R4)，-其中位于相继的导电层(P1～P4)内的边缘区(R1～R4)被相互错位，以及-其中位于相继的导电层(P1～P4)之间的所述触点(K21，K32，K43)总是在这些导电层之间被放置在靠近所述边缘区(R1～R4)的区域，其特征在于：-在所述的中心区(M)内设有一种用构成MRAM单元的GMR材料进行填充的沟槽，其中所述的GMR材料由一种叠层组成，而所述的叠层由硬磁层(HM)、隧道势垒层(TB)和软磁层(WM)组成，而且-位于相继的导电层(P1～P4)内的所述边缘区(R1～R4)被如此地相互错位，使得通过所述触点(K21，32，K43)相互连接的导电层(P1～P4)构成一种线圈形的结构。