[发明专利]MRAM存储单元有效
| 申请号： | 01125963.9 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1334567A | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | H·赫尼施米德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由磁阻电阻(1)和开关晶体管(2)组成的MRAM存储单元,其中磁阻电阻(1)位于用于字线－针脚和用于写入操作的中间金属化表面(M1)和上金属化表面(M2)之间。字线－升压线路(B)可预定在每个单元的针脚区域上,使得其不会达到磁阻电阻(1)中的临界电压,并且开关晶体管(2)会导通。如图。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种由磁阻电阻(1)和开关晶体管(2)组成的MRAM存储单元，其中磁阻电阻(1)经过最上金属化表面的线路而位于两条基本垂直交叉的线路之间，并且其中开关晶体管(2)通过具有第零、第一和第二金属化表面(M0，M1，M2)线路与源或漏极、控制极和漏或源极相接，从而使源或漏极接在存储单元区域的以第零金属化表面(M0)形式的位线上，并且控制极通过字线(WL)和针脚触点(3)而接于存储单元区域的第一金属化表面(M1)线路上，其特征在于，最上面的金属化表面是第二金属化表面(M2)，并且磁阻电阻(1)在第一和第二金属化表面(M1，M2)线路之间延伸，使得第一金属化表面(M1)线路与字线(WL)的针脚触点(3)和磁阻电阻相接，并且可以满足字线-针脚和用于磁阻电阻(1)写线的两个功能。
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