[发明专利]一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法无效
| 申请号： | 01126057.2 | 申请日： | 2001-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1402315A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;刘柏村;莫亦先 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/32;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 巫肖南 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法。首先于一其上包含有低介电常数材料层的半导体晶片上进行第一含氢等离子体处理步骤，以强化该低介电常数材料层的表面抗光阻去除液侵蚀能力。接着于该低介电常数材料层上涂布光阻层，并于该光阻层中形成一图案开口，以暴露出部分的该低介电常数材料层。之后经由该图案开口干蚀刻该低介电常数材料层，以将该光阻层中的图案转移到该低介电常数材料层中，再利用氧气等离子体灰化该光阻层。最后浸泡该半导体晶片于光阻去除液中，以完全去除该光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强化 介电常数 材料 抵抗 去除 损害 方法 | ||
【主权项】：
1.一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液(stripper)损害的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体晶片，其上包含一低介电常数材料层；进行第一含氢等离子体处理步骤，以强化该低介电常数材料层表面的抵抗光阻去除液侵蚀的能力；在该低介电常数材料层上涂布光阻层；在该光阻层中形成图案开口，以暴露出部分的该低介电常数材料层；经由该图案开口干蚀刻该低介电常数材料层，以将该光阻层中的图案转移至该低介电常数材料层中；利用氧气等离子体灰化该光阻层；以及浸泡该半导体晶片于光阻去除液中，以完全去除该光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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