[发明专利]掺辛酸钕的聚合物光纤及其制备方法无效
申请号: | 01127001.2 | 申请日: | 2001-07-17 |
公开(公告)号: | CN1160387C | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | 叶继春;张其锦;许杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | C08F20/14 | 分类号: | C08F20/14;C08F2/44;G02B6/16 |
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摘要: | 本发明掺辛酸钕的聚合物光纤及其制备方法,特征是将碳酸钕与甲醇和辛酸于60±20℃反应,用界面扩散法析出辛酸钕晶体;按纤芯中掺辛酸钕的浓度为10~1500ppm要求称取适量的辛酸钕,加入引发剂偶氮二异丁氰0.01±0.005mol/l和链转移剂正丁基硫醇30~50μl/10mlMMA,将反应容器的温度控制在75~95℃,搅拌预聚合至1.5~5倍甘油粘度,再在40~65℃聚合至固化得预制棒,拉制成芯径为300~1500um的光纤;外表涂上折射率小于纤芯折射率的树脂层,固化后即得纤芯掺有螯合式辛酸钕的聚甲基丙烯酸甲酯聚合物光纤;本发明光纤克服了现有掺稀土聚合物光纤中稀土离子相容性差的问题,光学性能稳定,芯径大,原料及接续成本低,光通讯窗口在650nm,在全光通信、医学、传感器和光谱学领域将有十分重要的应用。 | ||
搜索关键词: | 辛酸 聚合物 光纤 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掺辛酸钕的聚合物光纤,包括纤芯和包层构成,其特征在于:所述纤芯是掺有10~1500ppm螯合式辛酸钕的聚甲基丙烯酸甲酯,芯径为300~1500um。
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