[发明专利]电位控制DNA在电极表面的自组装方法无效
申请号: | 01127072.1 | 申请日: | 2001-08-07 |
公开(公告)号: | CN1167104C | 公开(公告)日: | 2004-09-15 |
发明(设计)人: | 顾宁;葛存旺;谭逸斌;张海黔 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B82B3/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 沈廉 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 电位控制DNA在电极表面的自组装方法是一种基于DNA纳米器件的制备方法,属于用化学自组装方法制造纳米器件的技术领域。其自组装的方法为:①对需要组装的电极进行清洁预处理;②将预处理后的电极侵入“prianha”溶液或热稀硝酸中5~15分钟,经清洗后浸入无水乙醇中备用;③将处理好的电极浸入含有组装分子的溶液中,溶液浓度为1mM,浸泡后再在乙醇中浸泡,得到修饰了单分子层的电极;④将上述电极浸入活化液中活化15-30分钟;⑤以活化的电极为工作电极,让其在电位作用下,组装30-60分钟,得到电位控制的DNA共价修饰电极。 | ||
搜索关键词: | 电位 控制 dna 电极 表面 组装 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电位控制DNA在电极表面的自组装方法,其特征在于自组装的方法为:①对需要组装的电极进行清洁预处理;②将预处理后的电极浸入浓硫酸和双氧水的混合溶液或热稀硝酸中5-15分钟,经清洗后浸入无水乙醇中备用;③将处理好的电极浸入含有能够偶联电极与DNA分子的溶液中,溶液浓度为1mM,浸泡后再在乙醇中浸泡,得到修饰了单分子层的电极;④将上述电极浸入活化液中活化15-30分钟,其中活化液为碳化亚胺类化合物;⑤以活化的电极为工作电极,让其在电位为-0.9v+1.1v的作用下,组装30-60分钟,得到电位控制的DNA共价修饰电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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