[发明专利]一种纳米碳化硅材料的制备方法有效
| 申请号： | 01127650.9 | 申请日： | 2001-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1164488C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;吴志盛;邓少芝;周军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 广州市新诺专利事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种纳米碳化硅材料的制备方法。本方法以微米量级或块状的SiC原料为原材料，加上催化剂，预先抽真空，然后通入惰性气体作为保护气氛，最后加热至1300℃～2000℃并保温一段时间，制备得到的具有碳化硅纳米棒或纳米线的纳米材料，有助于相关碳化硅光电器件，特别是纳米光电器件和场发射阴极电子源的研制。本方法工艺简单，原材料成本低，产率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米碳化硅材料的制备方法，其特征在于：其工艺步骤为 1).将SiC原料与催化剂铁或铝的混合物，连同加热装置预抽真空至 5.0×10-2torr以上真空度，然后通惰性气体作为保护气体； 2).加热至1300～2000℃，保温5分钟至2小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01127650.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
