[发明专利]用非均匀纵向磁场来抑制真空电弧集聚的方法无效
| 申请号： | 01128721.7 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1147892C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 贾申利;付军;史宗谦 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664;H01H33/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明针对传统的采用均匀分布的纵向磁场来抑制真空电弧集聚时，当电流较大时电流仍出现集聚的问题，提出用非均匀分布的纵向磁场来抑制真空电弧集聚的方法，采用施加从触头中心向边缘逐渐增强的纵向磁场，这样的磁场会对真空电弧产生一个径向扩张力，使真空电弧在大电流时仍能在触头上均匀分布，保持在扩散状态，使真空灭弧室的极限开断电流大大增强。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 纵向 磁场 抑制 真空 电弧 集聚 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用非均匀纵向磁场来抑制真空电弧集聚的方法，其特征在于：在触头间施加从触头中心向边缘逐渐增强的纵向磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01128721.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：选速开关
- 下一篇：发弧时飞散出的金属类的绝缘体化方法
