[发明专利]盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法无效
| 申请号： | 01128804.3 | 申请日： | 2001-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1147222C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 罗桂芬;胡虹;吕春朝;许琨;王华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院昆明植物研究所 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 云南协立专利事务所 | 代理人： | 马晓青;吴平 |
| 地址： | 65020*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供一种盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法，包括盾叶薯蓣的初代培养、生长培养、丛芽增殖培养、生根培养步骤，取盾叶薯蓣一年生植株的幼嫩顶芽和腋芽清洗灭菌进行初代培养，用MS无激素+pH5.8培养基，在光照强度1000LX，光照时间12h/d，温度25±1℃中培养，转入6-BA0.2mg/l+NAA0.01+pH5.8的MS培养基中，再转入激素配比是BA0.2+IAA0.1或NAA0.1的MS培养基中进行丛芽增殖，再转入IAA0.5+NAA0.5的MS生根培养基中，待生根后移栽。解决了因薯蓣茎结构特殊而导致生根困难的问题，同时无性系后代保持与母本优良特性的高度一致性，并实现了组培工厂化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薯蓣 无菌 克隆 工厂 化生 方法 | ||
【主权项】：
1、盾叶薯蓣无菌克隆系工厂化生产方法，包括盾叶薯蓣的初代培养、生长培养、丛芽增殖培养、生根培养步骤，其特征是取盾叶薯蓣一年生植株的幼嫩顶芽和腋芽，清洗后，在超菌台上用75％酒精浸泡30s，再用0.1％升汞灭菌5-8min，最后用无菌水冲洗数次，切成带单个腋芽或顶芽的小节，转于初代培养基即MS无激素+PH5.8，在光照强度1000LX，光照时间12h/d，温度25±1℃中培养，把初代培养得到的无菌苗切成带单个腋芽或顶芽的节后，转入6-BA0.2mg/l+NAA0.01+PH5.8的MS培养基中，然后转入激素配比是BA0.2+IAA0.1或NAA0.1的MS培养基中进行丛芽增殖，再转入IAA0.5+NAA0.5的MS生根培养基中，待生根后移栽。
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