[发明专利]利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列

摘要

一种利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列,采用了一种具有在一层超薄介质(比如栅氧化层)周围制作的一种数据存储元件来存储信息。其方法是通过给超薄介质加应力使其击穿(软击穿或硬击穿)以建立起存储器单元的漏泄电流电平。存储器单元通过检测该单元吸收的电流进行读出。合适的超薄介质是约为50埃厚或者小于50埃厚的高质量栅氧化层。这种氧化层是现今先进CMOS逻辑工艺普遍采用的。

主权项

1.可用于存储器阵列、具有选线和存取线的一种可编程只读存储器单元，其特征是该存储器单元包括：具有一个栅极、在栅极下有一层栅介质、在栅介质和栅极下面具有在空间上分开并在其间形成一沟道区的第1和第2掺杂半导体区的一种MOS场效应晶体管；具有一个导电结构、在导电结构下有一层超薄介质、在超薄介质和导电结构下面有第1掺杂半导体区的一种MOS数据存储元件。MOS数据存储元件的第1掺杂半导体区与MOS场效应晶体管的第1掺杂半导体区连接在一起；一选线段与MOS场效应晶体管的栅极连接在一起；第1存取线段与MOS场效应晶体管的第2掺杂半导体区连接在一起；第2存取线段与MOS数据存储元件的导电结构连接在一起。