[发明专利]一种互补金属氧化物半导体图像传感器及其驱动方法有效
申请号: | 01129269.5 | 申请日: | 2001-06-19 |
公开(公告)号: | CN1330411A | 公开(公告)日: | 2002-01-09 |
发明(设计)人: | 李瑞圭 | 申请(专利权)人: | 皮克斯尔普拉斯有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/092 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘世长 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种CMOS图像传感器,其是将复位数据先于信号数据输出。该CMOS图像传感器包括一产生信号数据和复位数据的像素传感器、一传输信号数据和复位数据的数据I/O线、一个双取样电路和一个输出电路;其中,信号数据的电压值依赖于由响应所接收到的外来能量而产生的光电荷总量;复位数据在复位模式下产生;双取样电路由数据I/O线先采集信号数据,再采集复位数据,并驱动一个输出终端。本发明还公开了该图像传感器的驱动方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
1、一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,包括:一个具备复位模式的像素传感器,该像素传感器在复位模式下产生复位数据,该像素传感器进一步产生信号数据,该像素传感器对接收到的外来能量作出响应以产生信号数据,该像素传感器依据所接收到的能量产生一定量的光电荷并将其转化为信号数据,该信号数据具有依赖于感生光电荷总量的电压值;一条数据I/O线,传输像素传感器中产生的信号数据和复位数据;一个耦合到数据I/O线的双取样电路,完成对信号数据和复位数据的取样,并驱动输出终端;一个输出电路,用以输出与输出终端电压相关的数据;其特征在于:双取样电路先完成对信号数据的取样,然后才是对复位数据取样。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的