[发明专利]高灵敏度的互补金属氧化物半导体有源像素

摘要

一种具有高灵敏度的CMOS有源像素,包含一个用于接收信号电荷的浮扩散层、一个可产生信号电荷并传输到浮扩散层的光电二极管、一个可控制重置电压值的重置电路和一个输出电路。该光电二极管有第一、第二两个具有第一种掺杂类型的二极管下掺杂层和具有第二种掺杂类型的二极管上掺杂层,两种掺杂类型极性相反,第一、第二两个二极管下掺杂层接触,且其同时与上掺杂层的下部接触,二极管上掺杂层和第一二极管下掺杂层同时与浮扩散层接触。

主权项

1、一种制作在半导体衬底上的互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素，其特征在于它包含：用第一种掺杂型杂质掺杂的浮扩散层，它用于接收信号电荷；能产生信号电荷，并把它传输到浮扩散层的光电二极管，该光电二极管有一个具有第一种掺杂类型的二极管下掺杂层，以及具有第二种掺杂类型的二极管上掺杂层，第二种掺杂类型的极性和第一种掺杂类型的极性相反，二极管上掺杂层制作在二极管下掺杂层之上；重置电路，它按照控制信号来控制浮扩散层的电压，以重置电压值；以及输出电路，它产生与浮扩散层电压值相应的输出信号；其中，在光电二极管初始态，二极管下掺杂层的电势能高于浮扩散层的电势能。