[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法无效
申请号: | 01129301.2 | 申请日: | 2001-06-11 |
公开(公告)号: | CN1391270A | 公开(公告)日: | 2003-01-15 |
发明(设计)人: | 蔡正原;罗应聪 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/285;H01L21/31 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾新竹科学*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种双重金属镶嵌结构的制造方法,在基底上形成复合介电层,再在复合介电层中形成双重金属镶嵌结构。复合介电层是由依序形成在基底上的第一介电层和第二介电层所组成,且第一介电层的杨氏系数和硬度较第二介电层大,第一介电层的热膨胀系数与铜的差异较第二介电层小,并且第二介电层的介电常数较第一介电层小。能够增加双重金属镶嵌结构的抗热形变、机械强度,且不会影响有效介电常数值。 | ||
搜索关键词: | 双重 金属 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,在该基底上已形成有一导电区域;在该基底上形成一帽盖层;在该基底上形成一第一介电层;在该第一介电层上形成一蚀刻终止层;在该蚀刻终止层上形成一第二介电层;在该第二介电层中以及第一介电层中形成一双重金属镶嵌开口;依序在该双重金属镶嵌开口中形成一共形的阻障层以及一金属层;其特征在于:该第一介电层的杨氏系数(Young’smodulus)以及硬度(Hardness)较该第二介电层的杨氏系数以及硬度大、该第一介电层的热膨胀系数较该第二介电层的热膨胀系数小,亦即该第一介电层与金属铜的热膨胀系数具有较小的差值,且该第二介电层的介电常数较该第一介电层的介电常数小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01129301.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造