[发明专利]双重金属镶嵌结构的制造方法无效

专利信息
申请号: 01129301.2 申请日: 2001-06-11
公开(公告)号: CN1391270A 公开(公告)日: 2003-01-15
发明(设计)人: 蔡正原;罗应聪 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/285;H01L21/31
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾新竹科学*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种双重金属镶嵌结构的制造方法,在基底上形成复合介电层,再在复合介电层中形成双重金属镶嵌结构。复合介电层是由依序形成在基底上的第一介电层和第二介电层所组成,且第一介电层的杨氏系数和硬度较第二介电层大,第一介电层的热膨胀系数与铜的差异较第二介电层小,并且第二介电层的介电常数较第一介电层小。能够增加双重金属镶嵌结构的抗热形变、机械强度,且不会影响有效介电常数值。
搜索关键词: 双重 金属 镶嵌 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,在该基底上已形成有一导电区域;在该基底上形成一帽盖层;在该基底上形成一第一介电层;在该第一介电层上形成一蚀刻终止层;在该蚀刻终止层上形成一第二介电层;在该第二介电层中以及第一介电层中形成一双重金属镶嵌开口;依序在该双重金属镶嵌开口中形成一共形的阻障层以及一金属层;其特征在于:该第一介电层的杨氏系数(Young’smodulus)以及硬度(Hardness)较该第二介电层的杨氏系数以及硬度大、该第一介电层的热膨胀系数较该第二介电层的热膨胀系数小,亦即该第一介电层与金属铜的热膨胀系数具有较小的差值,且该第二介电层的介电常数较该第一介电层的介电常数小。
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