[发明专利]镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 01129351.9 | 申请日： | 2001-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1326222A | 公开（公告）日： | 2001-12-12 |
| 发明（设计）人： | 郑吉峰;薛正诚 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种镶嵌结构的制造方法,提供一个基底,再在基底上形成介电层,其中此介电层的材质是氮氧硅化物,且介电层的反射率在1.55至1.74左右;接着,在介电层中形成开口,再在基底上形成填满开口的金属层;然后,以介电层表面为研磨终点,以化学机械研磨法移除开口之外的金属层,其中介电层的被研磨移除率小于金属层的被研磨移除率。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该制造方法包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一介电层，其中该介电层的材质为氮氧硅化物，且该介电层的反射率为1.55至1.74左右；在该介电层中形成一开口；在该介电层上形成填满该开口的一金属层；以该介电层表面为研磨终点，以化学机械研磨法移除该开口之外的该金属层，其中该介电层的被研磨移除率小于该金属层的被研磨移除率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
